* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.
Low voltage(1.5V) drive type
Nch Small-signal MOSFET
Small Surface Mount Package
Pb Free
Datasheet RUF025N02TLВысота:
0.82мм
Длина:
2.1мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
800 мВт
Максимальное напряжение входа:
±10 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.3В
Максимальное сопротивление стока источника:
160 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
2.5 A
Минимальное пороговое напряжение:
0.3В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
RUF025N02
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-323
Типичный заряд затвора при Vgs:
5 нКл при 4.5 В
Ширина:
1.8мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |