* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
RJ1L12BGN is low on-resistance and small surface mount package MOSFET for switching application.
Low on - resistance
High power small mold package
Pb-free lead plating
Halogen free
Datasheet RJ1L12BGNTLLВысота:
4.7мм
Длина:
10.4мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
192 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
4.1 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
120 A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
RJ1L12BGN
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TO-263AB
Типичный заряд затвора при Vgs:
175 нКл при 10 В
Ширина:
9.2мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |