* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose power amplifier and switching applications
10 A Collector Current
Low Leakage Current - ICEO = 0.7 mA @ 60 V
Excellent dc Gain - hFE = 40 Typ @ 3.0 A
High Current Gain Bandwidth Product - hfe = 3.0 min @ IC = 0.5 A, f = 1.0 MHz
Pb-Free Packages are Available
Datasheet TIP33CGВысота:
20.35мм
Длина:
15.2мм
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация:
Single
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
80 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В пост. тока
Максимальное напряжение коллектор-база:
100 В пост. тока
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
100 В пост. тока
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
4 В пост. тока
Максимальный непрерывный ток коллектора:
10 (Непрерывный) A, 15 (Пиковый) A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
0.7мА
Минимальное усиление постоянного тока:
20
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Размеры:
15.2 x 4.9 x 20.35мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
TO-218
Ток базы:
3A
Ширина:
4.9мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |