* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
Low Collector-Emitter Saturation Voltage--VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
Fast Switching Speeds
Complementary Pairs Simplifies Designs
Datasheet MJF45H11GКоличество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Изолированный
Максимальная рабочая частота:
20 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
36 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
-80 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
-10 A
Минимальное усиление постоянного тока:
60
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
10.63 x 4.9 x 16.12мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
PNP
Тип упаковки:
TO-220
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |