* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The combination of low saturation voltage and high gain makes this Bipolar Transistor an ideal device for high speed switching applications where power saving is a concern.
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
High DC Current Gain
High Current-Gain Bandwidth Product
Superior gain linearity
These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free
Minimized power loss
Very low current requirements
Ideal for high frequency designs
Minimal distortion
Applications:
Linear voltage regulation
Power management for portable devices
Switching regulator
Inductive load driver (e.g. motors, fans, relays)
Linear controls
Datasheet NSS60601MZ4T1GКоличество контактов:
3 + Tab
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рабочая частота:
1 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
800 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
6 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
100 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
60 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
6 A
Минимальное усиление постоянного тока:
120
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
6.7 x 3.7 x 1.65мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-223 (SC-73)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |