* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This N-Channel dual device was designed with a small footprint package (2x2 mm) with ON Semiconductor's leading planar process for small footprint and increased efficiency. The low figure of merit is particularly suited for single or dual cell Li-Ion battery supplied devices such as cell phones, media players, digital cameras, and PDAs.
Small Footprint (2 x 2 mm)
Low Gate Charge N-Channel Device
ESD Protected Gate
Same Package as SC-70 (6 Leads)
Applications:
Load Power Switching
Li-Ion Battery Supplied Devices
DC-DC Conversion
Datasheet NTJD4401NT1GАвтомобильный стандарт:
AEC-Q101
Высота:
1мм
Длина:
2.2мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Максимальная рассеиваемая мощность:
550 мВт
Максимальное напряжение входа:
±12 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
440 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
910 мА
Минимальное пороговое напряжение:
0.6В
Прямое напряжение диода:
1.1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SC-88
Типичный заряд затвора при Vgs:
1.3 нКл при 4.5 В
Ширина:
1.35мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |