* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
This is a 30 V N-Channel Power MOSFET.
Low rDS(on) to Minimize Conduction Loss
Low Gate Charge
Low Threshold Levels
Applications:
Power Converters for Portables
Battery Management
Load/Power Switch
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Техническая спецификация
Datasheet NTR4170NT1GВысота:
1.01мм
Длина:
3.04мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
480 мВт
Максимальное напряжение входа:
±12 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.4В
Максимальное сопротивление стока источника:
110 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
2.4 A
Минимальное пороговое напряжение:
0.6В
Прямое напряжение диода:
1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-23
Типичный заряд затвора при Vgs:
4.76 нКл при 4.5 В
Ширина:
1.4мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |