* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This is a 20 V N-Channel Power MOSFET.
Low RDS(on) Improving System Efficiency
Low Threshold Voltage
Small Footprint 1.6 x 1.6 mm
ESD Protected Gate
Applications:
Load/Power Switches
Power Supply Converter Circuits
Battery Management
Datasheet NTZD3154NT1GВысота:
0.6мм
Длина:
1.7мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Максимальная рассеиваемая мощность:
250 мВт
Максимальное напряжение входа:
±7 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1В
Максимальное сопротивление стока источника:
900 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
540 мА
Минимальное пороговое напряжение:
0.45В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-563
Типичный заряд затвора при Vgs:
1.5 нКл при 4.5 В
Ширина:
1.3мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |