* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The 10 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor is for use as an output devices in complementary general purpose amplifier applications. The BDV65B (NPN) and BDV64B (PNP) are complementary devices.
High DC Current Gain HFE = 1000 (min.) @ 5 Adc
Monolithic Construction with Built-in Base Emitter Shunt Resistors
These devices are available in Pb-free package(s). Specifications herein apply to both standard and Pb-free devices
Datasheet_1 BDV64BGDatasheetКоличество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
125 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В пост. тока
Максимальное напряжение коллектор-база:
100 В пост. тока
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
-100 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
-10 A
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
15.2 x 4.9 x 20.35мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
PNP
Тип упаковки:
TO-218
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |