RQ7E100AT is low on-resistance MOSFET for switching.
Low on - resistance.
Small Surface Mount Package (TSMT8).
Pb-free lead plating
Техническая спецификация
Datasheet RQ7E100ATTCR
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.5 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
14.8 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
10 A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Типичный заряд затвора при Vgs:
53 нКл при 10 В
