* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
R6030JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
Fast reverse recovery time (trr)
Low on-resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
Pb-free plating
Datasheet R6030JNZ4C13Высота:
21.25мм
Длина:
16.24мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
370 Вт
Максимальное напряжение входа:
±30 В
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное пороговое напряжение:
7В
Максимальное сопротивление стока источника:
140 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
30 A
Минимальное пороговое напряжение:
5В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247G
Типичный заряд затвора при Vgs:
74 нКл при 15 В
Ширина:
5.22мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |