* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Industrial Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.
Small Footprint (5x6 mm)
Low RDS(on)
Low QG and Capacitance
Compact Design
Minimize Conduction Losses
Minimize Driver Losses
Applications
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
48V systems
Battery management and protection
End Products
Motor Control
DC/DC converter
Load Switch
Synchronous Rectification
Battery Packs and ESS
Datasheet NTMFS6H836NT1GВысота:
1.05мм
Длина:
5.1мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
5
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
89 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
11.4 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
74 A
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DFN
Типичный заряд затвора при Vgs:
25 нКл при 10 В
Ширина:
6.1мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |