* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
PPAP Capable
These Devices are Pb−Free
Datasheet NVMFS5H663NLT1GАвтомобильный стандарт:
AEC-Q101
Высота:
1.05мм
Длина:
5.1мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
5
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
63 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2В
Максимальное сопротивление стока источника:
10 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
67 A
Минимальное пороговое напряжение:
1.2В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DFN
Типичный заряд затвора при Vgs:
17 нКл при 10 В
Ширина:
6.1мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |