Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
Power 88 Package, Industry Standard
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free
Техническая спецификация
Datasheet NTMTS001N06CLTXG
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
5 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.2В
Максимальное сопротивление стока источника:
1.05 МОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
398.2 A
Минимальное пороговое напряжение:
1.2В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Типичный заряд затвора при Vgs:
165 нКл при 10 В
