Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

2N6387G Transistor Type, onsemi 2N6387G NPN Darlington Transistor, 10 A dc 60 V dc HFE:1000, 3-Pin TO-220

1867344
Производитель: onsemi
Цена за шт. (норма упаковки 50 шт)
223.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Power 8A 80 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
High DC Current Gain - hFE=2500 (Typ) @Ic=4.0 Adc Collector-Emitter Sustaining Voltage - @ 100 mAdc, Vceo(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6387, Vceo (sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6388Collector-Emitter Sustaining Voltage - @ 100 mAdc , Vceo(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6387, Vceo (sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6388Low Collector-Emitter Saturation Voltage- Vce(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ Ic=5.0 AdcMonolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt ResistorsT0-220AB Compact Package

Datasheet 2N6387G
Mfr Part No.:
2N6387G Transistor Type
Высота:
15.75mm
Длина:
10.53mm
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация:
Single
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
65 W
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 V dc
Максимальное напряжение коллектор-база:
60 V dc
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
60 V dc
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
3 V dc
Максимальный непрерывный ток коллектора:
10 A dc
Минимальное усиление постоянного тока:
1000
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Размеры:
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Тип монтажа:
Through Hole
Тип упаковки:
TO-220
Ширина:
4.83mm
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию