* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
FJB102: 100V High Voltage Power Darlington Transistor
High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= 4 V, IC= 3 A (Min.)
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
High Collector-Emitter Sustaining Voltage
Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistors
Industrial Use
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
Datasheet FJB102TMКоличество контактов:
2 + Tab
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Dual
Максимальная рассеиваемая мощность:
80 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
100 В
Минимальное усиление постоянного тока:
200
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
10.67 x 9.65 x 4.58мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |