* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
FJI5603D: NPN Silicon Transistor
Wide Safe Operating Area
Small Variance in Storage Time
Built-in Free Wheeling Diode
High Voltage and High Speed Power Switch Application
Electronic Ballast Application
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
Datasheet FJI5603DTUКоличество контактов:
3 + Tab
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
100 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
12 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
800 В
Минимальное усиление постоянного тока:
20
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
10.29 x 4.83 x 9.65мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
TO-262
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |