* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This Single N-Channel MOSFET has been designed using an advanced Power Trench process to optimize the RDS(on) @VGS=2.5V on special MicroFET lead frame.
RDS(on) = 30mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 5.7A
RDS(on) = 40mΩ @ VGS = 2.5 V, ID = 5.0A
Low Profile-0.8mm maximum-in the new package MicroFET 2x2 mm
HBM ESD protection level 2.5k V typical (Note 3)
Free from halogenated compounds and antimony oxides
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
DatasheetКоличество контактов:
6
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.4 Вт
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
2 x 2 x 0.72mm
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
MicroFET 2 x 2
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |