* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Max rDS(on) = 5.8mΩ at VGS = 10V, ID = 13.5A
Max rDS(on) = 8.0mΩ at VGS = 4.5V, ID = 11.8A
Low Profile - 1mm max in Power 33
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
Datasheet FDMC8462Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальная рассеиваемая мощность:
41 Вт
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
3.3 x 3.3 x 1.05мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PQFN
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |