* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
Max rDS(on) = 109 mΩat VGS = 10 V, ID = 2.7 A
Max rDS(on) = 176 mΩat VGS = 6 V, ID = 2.1 A
High performance trench technology for extremely low rDS(on)
High power and current handling capability in a widely used surface mount package
Fast switching speed
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
Datasheet FDC8601Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
1
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.6 Вт
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
3 x 1.7 x 1мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TSOT-23
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |