* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced in a rugged gate version of an advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications for a wide range of gate drive voltages (2.5V – 12V).
-1.5 A, -20 V
RDS(ON) = 0.145Ω @ VGS = -4.5 V
RDS(ON) = 0.210Ω @ VGS = -2.5 V
Low gate charge
High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
Compact industry standard SC70-6 surface mount package
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
Datasheet FDG328PКоличество контактов:
6
Количество элементов на чип:
1
Максимальная рассеиваемая мощность:
750 мВт
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
2.2 x 1.35 x 1мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SC-70
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |