P-Channel 150 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® with ThunderFET technology
Very low RDS(on) minimizes power loss from conduction
Техническая спецификация
Datasheet SISS73DN-T1-GE3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
65.8 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
150 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
125 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
16.2 A
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK 1212-8S
Типичный заряд затвора при Vgs:
14.6 нКл при 10 В
