Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin IPAK Vishay SIHU4N80AE-GE3, МОП-транзистор

1884943
Номер производителя: SIHU4N80AE-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
425.10 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

E Series Power MOSFET

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Ciss)
Reduced switching and conduction losses
APPLICATIONS
Server and telecom power supplies
Switch mode power supplies (SMPS)
Power factor correction power supplies (PFC)

Техническая спецификация
pdfDatasheet SIHU4N80AE-GE3
Высота:
6.22мм
Длина:
6.73мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
62.5 Вт
Максимальное напряжение входа:
±30 В
Максимальное напряжение стока источника:
800 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
1.44 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
4.1 A
Минимальное пороговое напряжение:
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
IPAK (TO-251)
Типичный заряд затвора при Vgs:
11 нКл при 10 В
Ширина:
2.38мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию