* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
Datasheet SIS862ADN-T1-GE3Высота:
1.07мм
Длина:
3.15мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
39 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
11 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
52 A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK 1212-8
Типичный заряд затвора при Vgs:
19.8 нКл при 10 В
Ширина:
3.15мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |