* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET
Ultra small 0.8 mm x 0.6 mm outline
Ultra thin 0.4 mm max. Height
Datasheet SiUD401ED-T1-GE3Высота:
0.4мм
Длина:
0.8мм
Канал - тип:
P
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.25 Вт
Максимальное напряжение входа:
±12 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.4В
Максимальное сопротивление стока источника:
3.5 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
500 мА
Минимальное пороговое напряжение:
0.6В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK 0806
Типичный заряд затвора при Vgs:
1.3 нКл при 15 В
Ширина:
0.6мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |