* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode.
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
SkyFET® low-side MOSFET with integrated Schottky
Datasheet SiZF920DT-T1-GE3Высота:
0.7мм
Длина:
6.1мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Dual
Максимальная рассеиваемая мощность:
28 W, 74 W
Максимальное напряжение входа:
+16 V, +20 V, -12 V, -16 V
Максимальное напряжение стока источника:
30 (Канал 1) В, 30 (Канал 2) В
Максимальное пороговое напряжение:
2.2 (Канал 2) В, 2.4 (Канал 1) В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0014 (Канал 2) Ом, 0.005 (Канал 1) Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
197 (Channel 2) A, 76 (Channel 1) A
Минимальное пороговое напряжение:
1.1 (Канал 1) В, 1.1 (Канал 2) В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAIR 6 x 5 F
Типичный заряд затвора при Vgs:
19 нКл при 15 В (Канал 1), 83 нКл при 15 В (Канал 2)
Ширина:
5.1мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |