Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N-Channel MOSFET, 850 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SQ1922AEEH-T1_GE3, МОП-транзистор

1885029
Номер производителя: SQ1922AEEH-T1_GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 25 шт)
115.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Automotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET.

TrenchFET® power MOSFET

Техническая спецификация
pdfDatasheet SQ1922AEEH-T1_GE3
Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Высота:
1мм
Длина:
2.2мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.5 Вт
Максимальное напряжение входа:
±12 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
530 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
850 мА
Минимальное пороговое напряжение:
1.5В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-363
Типичный заряд затвора при Vgs:
0.9 нКл при 10 В
Ширина:
1.35мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию