Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

P-Channel MOSFET, 35 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH Vishay SiSH101DN-T1-GE3, МОП-транзистор

1885039
Номер производителя: SiSH101DN-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 25 шт)
218.40 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® power MOSFET

Техническая спецификация
pdfDatasheet SiSH101DN-T1-GE3
Высота:
0.93мм
Длина:
3.3мм
Канал - тип:
P
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
52 Вт
Максимальное напряжение входа:
±25 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
13 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
35 A
Минимальное пороговое напряжение:
1.2В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK 1212-8SH
Типичный заряд затвора при Vgs:
68 нКл при 15 В
Ширина:
3.3мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию