* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
Datasheet SISS30LDN-T1-GE3Высота:
0.78мм
Длина:
3.3мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
57 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
12 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
55.5 A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK 1212-8S
Типичный заряд затвора при Vgs:
32.5 нКл при 10 В
Ширина:
3.3мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |