* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Automotive 40 V N- and P-Channel Common Drain MOSFET Pair and 200 V N-Channel MOSFET.
Optimized triple die package
TrenchFET® power MOSFET
Datasheet SQUN702E-T1_GE3Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Канал - тип:
NPN
Количество контактов:
10
Количество элементов на чип:
3
Конфигурация транзистора:
Common Drain
Максимальная рассеиваемая мощность:
48 W, 48 W, 60 W
Максимальное напряжение входа:
20 В
Максимальное напряжение стока источника:
200 (Channel 3) V, 40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V
Максимальное пороговое напряжение:
2.5 (Канал 1) В, 2.5 (Канал 2) В, 3.5 (Канал 3) В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0135 (Канал 2) Ом, 0.048 (Канал 1) Ом, 0.06 (Канал 3) Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
30 A, 30 A, 20 A
Минимальное пороговое напряжение:
1.5 (Канал 1) В, 1.5 (Канал 2) В, 2.5 (Канал 3) В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
Triple Die
Типичный заряд затвора при Vgs:
14 нКл при 100 В (Канал 3), 23 нКл при 20 В (Канал 2), 30.2 нКл при 20 В (Канал 1)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |