P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET
Very low RDS(on) minimizes voltage drop and reduces conduction loss
Eliminates the need for charge pump
Техническая спецификация
Datasheet SIRA99DP-T1-GE3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
104 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +16 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
2.6 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
195 A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK SO-8
Типичный заряд затвора при Vgs:
172.5 нКл при 10 В
