* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET
Leadership RDS(on) in compact and thermally enhanced package
Datasheet SiSS61DN-T1-GE3Высота:
0.78мм
Длина:
3.3мм
Канал - тип:
P
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
65.8 Вт
Максимальное напряжение входа:
±8 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
0.9В
Максимальное сопротивление стока источника:
9.8 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
111.9 A
Минимальное пороговое напряжение:
0.4В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK 1212-8S
Типичный заряд затвора при Vgs:
154 нКл при 10 В
Ширина:
3.3мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |