* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.
Very high speed: 45 nsVoltage range: 4.5 V to 5.5 VPin compatible with CY62148Ultra low standby powerTypical standby current: 1 μAMaximum standby current: 7 μA (Industrial)Ultra low active powerTypical active current: 2.0 mA at f = 1 MHzEasy memory expansion with CE, and OE featuresAutomatic power-down when deselectedComplementary metal oxide semiconductor (CMOS) for optimum speed and powerAvailable in Pb-free 32-pin thin small outline package (TSOP) II and 32-pin small-outline integrated circuit (SOIC)[1] packages
SRAM (Static Random Access Memory)
Schematic Symbol & PCB Footprint
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
ТК Деловые Линии | от 500 руб |
Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
Другой транспортной компанией | По согласованию |