* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour.
High breakdown voltage VCEO = 140 VTypical ft = 20 MHzFully characterized at 125 oCApplicationPower supply
Mfr Part No.:
2SD1047
Transistor Type
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рабочая частота:
20 MHz
Максимальная рассеиваемая мощность:
100 W
Максимальное напряжение база-эмиттер:
6 V
Максимальное напряжение коллектор-база:
200 V
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
140 V
Максимальный постоянный ток коллектора:
20 A
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
15.8 x 5 x 20.1mm
Тип монтажа:
Through Hole
Тип упаковки:
TO
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |