* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Extremely low gate charge
Excellent output capacitance (COSS) profile
Zener-protected
Applications
Switching applications
Datasheet STD11N65M2Высота:
2.17мм
Длина:
6.6мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
85 Вт
Максимальное напряжение входа:
±25 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
680 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
7 A
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Прямое напряжение диода:
1.6В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Типичный заряд затвора при Vgs:
100 нКл при 10 В
Ширина:
6.2мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |