* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour.
High breakdown voltage VCEO = 140 V
Typical ft = 20 MHz
Fully characterized at 125 oC
Application
Power supply
Datasheet 2SD1047Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рабочая частота:
20 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
100 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
6 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
200 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
140 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
20 A
Минимальное усиление постоянного тока:
60
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
15.8 x 5 x 20.1мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
TO
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |