Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 11 A, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD13N60DM2, МОП-транзистор

1888407
Номер производителя: STD13N60DM2Производитель: STMicroelectronics
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
581.10 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Low on-resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
Applications
Switching applications

Техническая спецификация
pdfDatasheet STD13N60DM2
Высота:
2.17мм
Длина:
6.6мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
110 Вт
Максимальное напряжение входа:
±25 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
360 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
11 A
Минимальное пороговое напряжение:
Прямое напряжение диода:
1.6В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Типичный заряд затвора при Vgs:
12.5 нКл при 10 В
Ширина:
6.2мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию