* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The device is manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration.
Good hFE linearity
Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
High fT frequency
Application
Linear and switching industrial equipment
Datasheet 2STBN15D100Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Общий эмиттер
Максимальная рассеиваемая мощность:
70 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
100 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
100 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
15 A
Минимальное усиление постоянного тока:
750
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
10.4 x 9.35 x 4.37мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |