* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The device in a PNP transistor manufactured using new “PB-HCD” (power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.
Very low collector-emitter saturation voltage
High current gain characteristic
Fast switching speed
Miniature SOT-23 plastic package for surface mounting circuits
Applications
LED
Battery charger
Motor and relay driver
Voltage regulation
Datasheet 2STR2160Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
500 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
-5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
-60 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
-60 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
-2 A
Минимальное усиление постоянного тока:
250
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
3.04 x 1.75 x 1.3мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
PNP
Тип упаковки:
SOT-23
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |