Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 12 A, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB12NM50T4, МОП-транзистор

1888473
Номер производителя: STB12NM50T4Производитель: STMicroelectronics
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
421.20 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+ −

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the Company’s PowerMESH™horizontal layout. The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the Company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition’s products.

High dv/dt and avalanche capabilities
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Tight process control and high manufacturing yields
Low gate input resistance
Applications
Switching application

Техническая спецификация
pdfDatasheet STB12NM50T4
Высота:
4.37мм
Длина:
10.4мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
160 Вт
Максимальное напряжение входа:
±30 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
350 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
12 A
Минимальное пороговое напряжение:
3В
Прямое напряжение диода:
1.5В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Типичный заряд затвора при Vgs:
28 нКл при 10 В
Ширина:
9.35мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию