* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
Lower on voltage drop (VCE(sat))
Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
Short circuit withstand time 10μs
Applications
High frequency motor controls
SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies
Motor drivers
Datasheet STGP8NC60KDВысота:
15.75мм
Длина:
10.4мм
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
65 Вт
Максимальное пороговое напряжение:
6.5В
Минимальное пороговое напряжение:
4.5В
Прямое напряжение диода:
2.1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220
Типичный заряд затвора при Vgs:
19 нКл при 10 В
Ширина:
4.6мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |