* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.
Low on-resistance
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
Wettable flank package
Applications
Switching applications
Datasheet STL40DN3LLH5Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Высота:
0.95мм
Длина:
6.2мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
50 Вт
Максимальное напряжение входа:
±22 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
25 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
40 A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.1В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerFLAT 5 x 6
Типичный заряд затвора при Vgs:
4.5 нКл при 4.5 В
Ширина:
5.1мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |