* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The device is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure to enhance switching speeds.
Fully characterized at 125 ˚C
Very high switching speed
Improved specification: Lower leakage current, Tighter gain range, DC current gain preselection, Tighter storage time range
Integrated free-wheeling diode
High voltage capability
Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
Large RBSOA
Low spread of dynamic parameters
Applications
Electronic transformers for halogen lamps
Switch mode power supplies
Datasheet STB13007DT4Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
80 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
9 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
700 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
16 A
Минимальное усиление постоянного тока:
8
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
10.4 x 9.35 x 4.37мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |