Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 10 A, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD11N60DM2, МОП-транзистор

1888550
Номер производителя: STD11N60DM2Производитель: STMicroelectronics
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
249.60 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Low on-resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
Applications
Switching applications

Техническая спецификация
pdfDatasheet STD11N60DM2
Высота:
2.17мм
Длина:
6.6мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
110 Вт
Максимальное напряжение входа:
±25 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
420 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
10 A
Минимальное пороговое напряжение:
Прямое напряжение диода:
1.6В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Типичный заряд затвора при Vgs:
16.5 нКл при 10 В
Ширина:
6.2мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию