* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Industry-leading 16mΩ RDS(on)1200V VBR (minimum) across entire operating temperature range [-40˚C – 175˚C]+15V gate drive voltageLow-impedance package with Kelvin source pin 8mm of creepage/clearance between drain and sourceHigh-speed switching with low output capacitanceFast intrinsic diode with low reverse recovery (QRR)Easy to parallel and simple to driveApplicationsSolar and Energy Storage SystemsElectric Vehicle ChargingUninterruptible Power Supply (UPS)Motor Control and DrivesSwitched-mode Power Supplies (SMPS)
Datasheet - C3M0016120KDatasheet
Mfr Part No.:
C3M0016120K
Channel Type
Высота:
23.6mm
Длина:
16.13mm
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
556 W
Максимальное напряжение входа:
-8 V, 19 V
Максимальное напряжение стока источника:
1200 V
Максимальное пороговое напряжение:
3.6V
Максимальное сопротивление стока источника:
16 mΩ
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
115 A
Материал транзистора:
SiC
Минимальное пороговое напряжение:
1.8V
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-40 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Through Hole
Тип упаковки:
TO-247
Типичный заряд затвора при Vgs:
211 nC @ 4/15V
Ширина:
5.21mm
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |