* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Minimum of 900V Vbr across entire operating temperature rangeNew low-impedance package with driver source 8mm of creepage/clearance between drain and sourceHigh-speed switching with low output capacitanceHigh blocking voltage with low RDS(on)Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)Easy to parallel and simple to drive
Datasheet - C3M0030090KDatasheet
Mfr Part No.:
C3M0030090K
Channel Type
Высота:
23.6mm
Длина:
16.13mm
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
149 W
Максимальное напряжение входа:
-8 V, 19 V
Максимальное напряжение стока источника:
900 V
Максимальное пороговое напряжение:
3.5V
Максимальное сопротивление стока источника:
30 mΩ
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
63 A
Материал транзистора:
SiC
Минимальное пороговое напряжение:
1.7V
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Through Hole
Тип упаковки:
TO-247
Типичный заряд затвора при Vgs:
87 nC @ 4/15V
Ширина:
5.21mm
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |