* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
High Power Density Footprint
High Temperature (175 °C) Operation
Low Inductance (6.7 nH) Design
Implements Conduction-Optimized Third Generation MOSFET Technology
Terminal Layout Simplifies Bus Bar Design
Integrated Temperature Sensing
Dedicated Drain-Kelvin Pin
Silicon Nitride Insulator and Copper Baseplate
Applications
Motor & Traction Drives
UPS
EV Chargers
Datasheet - CAB450M12XM3Высота:
15.75мм
Длина:
80мм
Количество элементов на чип:
1
Максимальная рассеиваемая мощность:
50 мВт
Максимальное напряжение входа:
-4 В, 19 В
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.6В
Максимальное сопротивление стока источника:
4.6 мОм
Материал транзистора:
SiC
Минимальное пороговое напряжение:
1.8В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-40 °C
Типичный заряд затвора при Vgs:
1330 нКл при 4/15В
Ширина:
53мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |