* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Industry-leading 16mΩ RDS(on)
1200V VBR (minimum) across entire operating temperature range [-40˚C – 175˚C]
+15V gate drive voltage
Low-impedance package with Kelvin source pin
> 8mm of creepage/clearance between drain and source
High-speed switching with low output capacitance
Fast intrinsic diode with low reverse recovery (QRR)
Easy to parallel and simple to drive
Applications
Solar and Energy Storage Systems
Electric Vehicle Charging
Uninterruptible Power Supply (UPS)
Motor Control and Drives
Switched-mode Power Supplies (SMPS)
DatasheetВысота:
23.6мм
Длина:
16.13мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
556 Вт
Максимальное напряжение входа:
-8 В, 19 В
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.6В
Максимальное сопротивление стока источника:
16 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
115 A
Материал транзистора:
SiC
Минимальное пороговое напряжение:
1.8В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-40 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247-4
Типичный заряд затвора при Vgs:
211 нКл при 4/15В
Ширина:
5.21мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |