* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Minimum of 1700V Vbr across entire operating temperature range
Optimized package design with wide creepage/clearance between drain and source for high-voltage capability in high-pollution environments
Separate power source pin lowers source inductance and provides lower switching losses
Clip-mount design with no center mounting hole provides improved electrical isolation
8mm of creepage/clearance between drain and source
Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
Easy to parallel and simple to drive
Datasheet - C2M0080170PDatasheetВысота:
23.6мм
Длина:
16.13мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
277 Вт
Максимальное напряжение входа:
-10 В, 25 В
Максимальное напряжение стока источника:
1700 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
80 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
40 A
Материал транзистора:
SiC
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247
Типичный заряд затвора при Vgs:
120 нКл при 5/20В
Ширина:
5.21мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |