* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Minimum of 900V Vbr across entire operating temperature range
New low-impedance package with driver source
> 8mm of creepage/clearance between drain and source
High-speed switching with low output capacitance
High blocking voltage with low RDS(on)
Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
Easy to parallel and simple to drive
Datasheet - C3M0030090KDatasheetВысота:
23.6мм
Длина:
16.13мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
149 Вт
Максимальное напряжение входа:
-8 В, 19 В
Максимальное напряжение стока источника:
900 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
30 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
63 A
Материал транзистора:
SiC
Минимальное пороговое напряжение:
1.7В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247
Типичный заряд затвора при Vgs:
87 нКл при 4/15В
Ширина:
5.21мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |